Physics of Semiconductor Materials
Field of study: Technical Physics
Programme code: 03-S1FT12.2017

Module name: | Physics of Semiconductor Materials |
---|---|
Module code: | 0305-1FT-12-52 |
Programme code: | 03-S1FT12.2017 |
Semester: | winter semester 2019/2020 |
Language of instruction: | Polish |
Form of verification: | exam |
ECTS credits: | 3 |
Description: | Na wykładzie student zapoznaje się z następującymi zagadnieniami:
• Klasyfikacja materiałów według wartości przewodnictwa elektrycznego.
• Mechanizm przepływu prądu elektrycznego w metalach oraz w izolatorach i półprzewodnikach.
• Półprzewodniki jonowe (elektrolity stałe) i elektronowe.
• Defekty struktury krystalicznej i ich rola w procesie przewodzenia prądu elektrycznego. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodnikach. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe.
• Zależność przewodnictwa elektrycznego od temperatury.
• Określanie typu przewodnictwa oraz koncentracji i ruchliwości nośników ładunku.
• Zjawisko Halla.
• Zmiany koncentracji nośników ładunku w półprzewodnikach.
• Nierównowagowe (dodatkowe) nośniki ładunku elektrycznego.
• Generacja, rekombinacja i transport nośników nierównowagowych.
• Absorpcja światła w półprzewodnikach i zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne.
• Mechanizmy absorpcji światła.
• Głębokość wnikania światła do materiałów półprzewodnikowych.
• Fotoprzewodnictwo.
• Złącze p–n i różne możliwości jego zastosowań.
• Właściwości fizyczne styków metal – półprzewodnik.
• Praktyczne (techniczne) zastosowania materiałów półprzewodnikowych (Elektronika, optoelektronika, technika cyfrowa, energetyka). Komórki słoneczne.
• Podstawowe technologie wytwarzania mikroelementów półprzewodnikowych
Podczas zajęć laboratoryjnych studenci wykonując ćwiczenia z zakresu fizyki półprzewodników, dzięki czemu mają możliwość doświadczalnego potwierdzenia wiedzy teoretycznej nabytej na wykładach.
Przedmiot obowiązkowy dla specjalności Nowoczesne materiały i techniki pomiarowe; wykład zakończony egzaminem
|
Prerequisites: | Wiązania kowalencyjne i metaliczne. Struktura krystaliczna ciał stałych. Struktura elektronowa półprzewodników i metali. Wykonywanie obliczeń przy użyciu podstawowych funkcji matematycznych i sporządzanie wykresów |
Key reading: | (no information given) |
Learning outcome of the module | Codes of the learning outcomes of the programme to which the learning outcome of the module is related [level of competence: scale 1-5] |
---|---|
Student poznaje właściwości materiałów półprzewodnikowych, podstawy ich działania w odniesieniu do ich struktury elektronowej. Poznaje reakcje półprzewodników na takie czynniki jak temperatura, promieniowanie elektromagnetyczne, wprowadzanie domieszek i defektów.
Potrafi posługiwać się schematami ideowymi obwodów elektrycznych i elektronicznych.
[1FT_52_1] |
KFT_W10 [4/5] |
Poznaje procesy fizyczne pozwalające na zastosowania półprzewodników w elektronice.
Poznaje przykładowe technologie pozwalające na wytwarzanie współczesnych elementów elektronicznych.
[1FT_52_2] |
KFT_W11 [4/5] |
Potrafi omówić wzory opisujące właściwości półprzewodników oraz zilustrować wypowiedzi wykresami, diagramami. [1FT_52_3] |
KFT_U01 [3/5] |
Potrafi oszacować wartości parametrów opisujących elementy półprzewodnikowe, np. koncentrację nośników prądu elektrycznego, energię aktywacji, sprawność energetyczną. [1FT_52_4] |
KFT_U02 [3/5] |
Potrafi wymienić urządzenia, w których stosowane są elementy półprzewodnikowe, wskazać na zasady ich działania, ograniczenia materiałowe oraz perspektywy konstruowania nowoczesnych urządzeń elektronicznych [1FT_52_5] |
KFT_U04 [4/5] |
Type | Description | Codes of the learning outcomes of the module to which assessment is related |
---|---|---|
egzamin pisemny/ ustny [1FT_52_w_1] | Egzamin obowiązkowy dla specjalności:
„Nowoczesne materiały i techniki pomiarowe” z materiału w zakresie objętym wykładem; skala ocen 2- 5;
|
1FT_52_1 |
Kolokwium wstępne- odpowiedź ustna [1FT_52_w_2] | kolokwium ustne z wiadomości teoretycznych dotyczących danego ćwiczenia; skala ocen 2-5;
Ocena końcowa jest średnią ocen z kolokwiów wstępnych i wykonanych sprawozdań.
|
1FT_52_1 |
Pisemne sprawozdanie [1FT_52_w_3] | obowiązkowe sprawozdanie pisemne zawierające niezbędne obliczenia, wykresy i wnioski wynikające z wykonanego ćwiczenia;
skala ocen 2-5;
Ocena końcowa jest średnią ocen z kolokwiów wstępnych i wykonanych sprawozdań. |
1FT_52_1 |
Form of teaching | Student's own work | Assessment of the learning outcomes | |||
---|---|---|---|---|---|
Type | Description (including teaching methods) | Number of hours | Description | Number of hours | |
lecture [1FT_52_fs_1] | Wykład zagadnień przedstawionych w „Opisie modułu” z wykorzystaniem prezentacji multimedialnej. |
15 | lektura uzupełniająca |
20 |
egzamin pisemny/ ustny [1FT_52_w_1] |
laboratory classes [1FT_52_fs_2] | Wykonywanie ćwiczeń z zakresu fizyki półprzewodników. |
15 | lektura uzpełniająca |
20 |
Kolokwium wstępne- odpowiedź ustna [1FT_52_w_2] |
Attachments |
---|
Module description (PDF) |
Syllabuses (USOSweb) | ||
---|---|---|
Semester | Module | Language of instruction |
(no information given) |